紫荊雜誌（記者 孫藝寧）7月30日香港報道：為共同推動香港微電子產業發展，香港科技園公司（簡稱“科技園公司”）與麻省光子技術（香港）有限公司（簡稱“麻省光子技術”）今日（7月30日）舉行香港首條超高真空“第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮”。

麻省光子技術計劃在港投資至少2億港元，於香港科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵（GaN）外延工藝全球研發中心，開發8寸先進GaN外延片工藝及設備平台，用於製作氮化鎵光電子和功率器件。

麻省光子技術亦將在創新園設立全港首條超高真空量產型GaN外延片中試線，進行小批量生產；預計完成中試並啟動香港的GaN外延量產產線建設，帶動創造超過250個微電子相關的就業職位，包括外延片及設備設計、生產流程發展等，創造實質經濟價值。

當日現場，由創新科技及工業局局長孫東、創新科技及工業局副局長張曼莉、引進重點企業辦公室副總裁（先進製造與新能源科技）王國藩、香港科技園公司行政總裁黃克強、麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韬及麻省光子技術（香港）有限公司股東及投資人黃永耀等見證下簽署合作協議。

創新科技及工業局局長孫東指出，第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。在特區政府公布的《香港創新科技發展藍圖》，其中一個發展方向為完善創科生態圈，推進香港“新型工業化”。這次麻省光子技術落戶香港確切回應了發展戰略，特區政府亦會大力支援先進製造產業，包括半導體產業在港設立或擴展先進製造生產線。

麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韬提到，作為首家進駐香港的氮化鎵（GaN）外延技術公司，我們致力在港推動高階第三代半導體晶圓技術的研發和量產，並借助香港的國際化市場地位，積極參與全球半導體競爭。這不僅為提升香港的原創性科技研發水平和新質生產力注入了強大動力，也為香港半導體製造產業鏈提供了最關鍵的上游晶園量產技術支撐。